Back إيسامو أكاساكي Arabic ايسامو اكاساكى ARZ ایسامو آکاساکی AZB Ісаму Акасакі Byelorussian Исаму Акасаки Bulgarian ইসামু আকাসাকি Bengali/Bangla Isamu Akasaki BS Isamu Akasaki Czech Isamu Akasaki Danish Isamu Akasaki German

Isamu Akasaki

En aquest nom japonès, el cognom és Akasaki.
Plantilla:Infotaula personaIsamu Akasaki

Modifica el valor a Wikidata
Nom original(ja) 赤﨑 勇 Modifica el valor a Wikidata
Biografia
Naixement30 gener 1929 Modifica el valor a Wikidata
Chiran (Japó) Modifica el valor a Wikidata
Mort1r abril 2021 Modifica el valor a Wikidata (92 anys)
Nagoya (Japó) Modifica el valor a Wikidata
Causa de mortpneumònia Modifica el valor a Wikidata
Residènciaprefectura de Kagoshima Modifica el valor a Wikidata
NacionalitatJaponesa
FormacióUniversitat de Kyoto
Universitat de Nagoya
Activitat
Camp de treballFísica, Enginyeria
Ocupaciófísic, enginyer, catedràtic, investigador Modifica el valor a Wikidata
OcupadorUniversitat de Nagoya
Panasonic
Universitat de Meijo
Denso Ten Modifica el valor a Wikidata
Membre de
Obra
Estudiant doctoralHiroshi Amano Modifica el valor a Wikidata
Família
GermansMasanori Akasaki Modifica el valor a Wikidata
Premis
Find a Grave: 225215791 Modifica el valor a Wikidata

Isamu Akasaki (japonès: 赤﨑 勇) (Chiran, 30 de gener de 1929 - Nagoya, 1 d'abril de 2021) fou un enginyer i físic japonès, guardonat amb el Premi Nobel de Física l’any 2014, especialitzat en el camp dels semiconductors, conegut per la invenció dels LED blaus mitjançant una junció P–N de nitrur de gal·li (GaN) el 1989.[1][2][3][4][5]

Per aquest i d'altres èxits, Akasaki ha estat guardonat amb molts premis de gran prestigi com ara el Premi Kyoto de Tecnologia Avançada el 2009,[6] i la Medalla Edison IEEE el 2011.[7] També va ser guardonat amb el premi Nobel de Física del 2014, juntament amb Hiroshi Amano i Shuji Nakamura,[8] "per la invenció de díodes emissors de llum blava eficients, que han permès el desenvolupament de fonts de llum blanca energèticament eficients". El 2021, Akasaki, va ser guardonat amb el Premi Reina Elizabeth d'Enginyeria "per la creació i desenvolupament d'il·luminació LED, constituents de la base de tota la tecnologia d'il·luminació d'estat sòlid".[9]

  1. ↑ «"Japanese Journal of Applied Physics". Jsap.jp. Arxivat de l'original del 22 de juliol de 2012.», 22-07-2012. Arxivat de l'original el 2012-07-22. [Consulta: 2 abril 2021].
  2. ↑ Amano, Hiroshi; Kito, Masahiro; Hiramatsu, Kazumasa; Akasaki, Isamu «P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)» (en anglès). Japanese Journal of Applied Physics, 28, 12A, 01-12-1989, pàg. L2112. DOI: 10.1143/JJAP.28.L2112. ISSN: 1347-4065.
  3. ↑ Isamu Akasaki; Hiroshi Amano; Masahiro Kito; Kazumasa Hiramatsu «Photoluminescence of Mg-doped p-type GaN and electroluminescence of GaN p-n junction LED» (en anglès). Journal of Luminescence, 48-49, 01-01-1991, pàg. 666–670. DOI: 10.1016/0022-2313(91)90215-H. ISSN: 0022-2313.
  4. ↑ Hiramatsu, Kazumasa; Amano, Hiroshi; Akasaki, Isamu; Kato, Hisaki; Koide, Norikatsu «MOVPE growth of GaN on a misoriented sapphire substrate». Journal of Crystal Growth, 107, 1-4, 1991-01, pàg. 509–512. DOI: 10.1016/0022-0248(91)90512-4. ISSN: 0022-0248.
  5. ↑ Cuesta, Albert «Tecnonecrològica del 2021». Diari ARA, 30-12-2021, pàg. 35.
  6. ↑ «INAMORI FOUNDATION», 04-03-2016. Arxivat de l'original el 2016-03-04. [Consulta: 2 abril 2021].
  7. ↑ «"IEEE Jack S. Kilby Signal Processing Medal Recipients" (PDF)». IEEE.
  8. ↑ «The Nobel Prize in Physics 2014» (en anglès americà). [Consulta: 2 abril 2021].
  9. ↑ «LED Lighting» (en anglès). [Consulta: 2 abril 2021].

Developed by StudentB